2N1131L

Herstellerteilnummer:
2N1131L
Hersteller/Marke:
Microchip Technology
Teilbeschreibung:
POWER BJT
Datenblätter:
RoHS-Status:
Bleifrei/RoHS-konform
Lagerbestand:
8,500
Versand von:
Hongkong
Versandmethode:
DHL/FedEx/TNT/UPS/EMS

Angebotsanfrage (RFQ)

*Pflichtfelder “Angebotsanfrage” Wir kontaktieren Sie schnellstmöglich Email: lucy@micyp.com
* Teilenummer
* Hersteller
* Benötigte Menge
Zielpreis (USD)
* Firmenname
* Kontakt
* E-Mail
* Telefon
Nachricht
Hersteller :
Microchip Technology
Produktkategorie :
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Current - Collector (Ic) (Max) :
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
20 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition :
-
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case :
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Power - Max :
600 mW
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
TO-5AA
Transistor Type :
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
1.3V @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
40 V
Schritt 1: Vakuumverpackung
Schritt 1: Vakuumverpackung
Schritt 1: Vakuumverpackung
Schritt 2: Antistatische Verpackung
Schritt 1: Vakuumverpackung
Schritt 3: Verpackungskarton

Internationaler Versand

TNT Express

Pünktliche Lieferung

DHL Express

UPS
FedEx
Telegrafische Überweisung (TT)
HSBC Bank
PayPal
Western Union

Warum uns wählen?

  • Über 50 Millionen Artikel
  • Originale und neue Lagerbestände
  • 365 Tage Garantie
  • Weltweiter Versand

Lagerbestand kann heute versendet werden

Empfohlene Produkte