RN1105MFV,L3F(CT
- Herstellerteilnummer:
- RN1105MFV,L3F(CT
- Hersteller/Marke:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Teilbeschreibung:
- TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- Datenblätter:
- RoHS-Status:
-
Bleifrei/RoHS-konform
- Lagerbestand:
- 23,795
- Versand von:
- Hongkong
- Versandmethode:
- DHL/FedEx/TNT/UPS/EMS
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- Hersteller :
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Produktkategorie :
- Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, vorbespiesst
- Current - Collector (Ic) (Max) :
- 100 mA
- Current - Collector Cutoff (Max) :
- 500nA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
- 80 @ 10mA, 5V
- Frequency - Transition :
- -
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Package / Case :
- SOT-723
- Power - Max :
- 150 mW
- Product Status :
- Active
- Resistor - Base (R1) :
- 2.2 kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2) :
- 47 kOhms
- Supplier Device Package :
- VESM
- Transistor Type :
- NPN - Pre-Biased
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
- 300mV @ 500µA, 5mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
- 50 V
Schritt 1: Vakuumverpackung
Schritt 2: Antistatische Verpackung
Schritt 3: Verpackungskarton
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