BSO615NGXUMA1

Herstellerteilnummer:
BSO615NGXUMA1
Hersteller/Marke:
Cypress Semiconductor Corp
Teilbeschreibung:
MOSFET N/P-CH 8-SOIC
Datenblätter:
RoHS-Status:
Bleifrei/RoHS-konform
Lagerbestand:
27,298
Versand von:
Hongkong
Versandmethode:
DHL/FedEx/TNT/UPS/EMS

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Nachricht
Hersteller :
Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie :
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
2.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
FET Feature :
Logic Level Gate
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
380pF @ 25V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max :
2W (Ta)
Product Status :
Not For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
150mOhm @ 2.6A, 4.5V
Supplier Device Package :
PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id :
2V @ 20µA
Schritt 1: Vakuumverpackung
Schritt 1: Vakuumverpackung
Schritt 1: Vakuumverpackung
Schritt 2: Antistatische Verpackung
Schritt 1: Vakuumverpackung
Schritt 3: Verpackungskarton

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