G06NP06S2
- Herstellerteilnummer:
- G06NP06S2
- Hersteller/Marke:
- Goford Semiconductor
- Teilbeschreibung:
- N/P60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<4
- Datenblätter:
- RoHS-Status:
-
Bleifrei/RoHS-konform
- Lagerbestand:
- 11,990
- Versand von:
- Hongkong
- Versandmethode:
- DHL/FedEx/TNT/UPS/EMS
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- Hersteller :
- Goford Semiconductor
- Produktkategorie :
- Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 6A (Tc)
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 60V
- FET Feature :
- Standard
- FET Type :
- N and P-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- -
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Power - Max :
- 2W (Tc), 2.5W (Tc)
- Product Status :
- Active
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
- Supplier Device Package :
- 8-SOP
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Schritt 1: Vakuumverpackung
Schritt 2: Antistatische Verpackung
Schritt 3: Verpackungskarton
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