FBG20N04AC

Herstellerteilnummer:
FBG20N04AC
Hersteller/Marke:
EPC Space, LLC
Teilbeschreibung:
GAN FET HEMT200V 4A COTS 4FSMD-A
Datenblätter:
RoHS-Status:
Bleifrei/RoHS-konform
Lagerbestand:
8,500
Versand von:
Hongkong
Versandmethode:
DHL/FedEx/TNT/UPS/EMS

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Nachricht
Hersteller :
EPC Space, LLC
Produktkategorie :
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
200V
FET Feature :
Logic Level Gate
FET Type :
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
3nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
150pF @ 100V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
4-SMD, No Lead
Power - Max :
-
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130mOhm @ 4A, 5V
Supplier Device Package :
4-SMD
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.8V @ 1mA
Schritt 1: Vakuumverpackung
Schritt 1: Vakuumverpackung
Schritt 1: Vakuumverpackung
Schritt 2: Antistatische Verpackung
Schritt 1: Vakuumverpackung
Schritt 3: Verpackungskarton

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