DF80R12W2H3B11BOMA1

Herstellerteilnummer:
DF80R12W2H3B11BOMA1
Hersteller/Marke:
Cypress Semiconductor Corp
Teilbeschreibung:
IGBT MODULE
Datenblätter:
RoHS-Status:
Bleifrei/RoHS-konform
Lagerbestand:
8,500
Versand von:
Hongkong
Versandmethode:
DHL/FedEx/TNT/UPS/EMS

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Nachricht
Hersteller :
Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie :
Transistoren - IGBTs - Module
Configuration :
Dual Boost Chopper
Current - Collector (Ic) (Max) :
50 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
1 mA
IGBT Type :
-
Input :
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce :
2350 pF @ 25 V
Mounting Type :
Chassis Mount
NTC Thermistor :
Yes
Operating Temperature :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
Module
Power - Max :
190 W
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
1.7V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V
Schritt 1: Vakuumverpackung
Schritt 1: Vakuumverpackung
Schritt 1: Vakuumverpackung
Schritt 2: Antistatische Verpackung
Schritt 1: Vakuumverpackung
Schritt 3: Verpackungskarton

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