HGTD1N120BNS9A
- Herstellerteilnummer:
- HGTD1N120BNS9A
- Hersteller/Marke:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Teilbeschreibung:
- IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
- Datenblätter:
- RoHS-Status:
-
Bleifrei/RoHS-konform
- Lagerbestand:
- 16,732
- Versand von:
- Hongkong
- Versandmethode:
- DHL/FedEx/TNT/UPS/EMS
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- Hersteller :
- Fairchild/ON Semiconductor
- Produktkategorie :
- Transistoren - IGBTs - Einzel
- Current - Collector (Ic) (Max) :
- 5.3 A
- Current - Collector Pulsed (Icm) :
- 6 A
- Gate Charge :
- 14 nC
- IGBT Type :
- NPT
- Input Type :
- Standard
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Power - Max :
- 60 W
- Product Status :
- Active
- Reverse Recovery Time (trr) :
- -
- Supplier Device Package :
- TO-252AA
- Switching Energy :
- 70µJ (on), 90µJ (off)
- Td (on/off) @ 25°C :
- 15ns/67ns
- Test Condition :
- 960V, 1A, 82Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
- 2.9V @ 15V, 1A
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
- 1200 V

Schritt 1: Vakuumverpackung

Schritt 2: Antistatische Verpackung

Schritt 3: Verpackungskarton
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