NGB8207BNT4G

Herstellerteilnummer:
NGB8207BNT4G
Hersteller/Marke:
Fairchild/ON Semiconductor
Teilbeschreibung:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Datenblätter:
RoHS-Status:
Bleifrei/RoHS-konform
Lagerbestand:
43,855
Versand von:
Hongkong
Versandmethode:
DHL/FedEx/TNT/UPS/EMS

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Nachricht
Hersteller :
Fairchild/ON Semiconductor
Produktkategorie :
Transistoren - IGBTs - Einzel
Current - Collector (Ic) (Max) :
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
50 A
Gate Charge :
-
IGBT Type :
-
Input Type :
Logic
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max :
165 W
Product Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Supplier Device Package :
D2PAK
Switching Energy :
-
Td (on/off) @ 25°C :
-
Test Condition :
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.6V @ 4V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
365 V
Schritt 1: Vakuumverpackung
Schritt 1: Vakuumverpackung
Schritt 1: Vakuumverpackung
Schritt 2: Antistatische Verpackung
Schritt 1: Vakuumverpackung
Schritt 3: Verpackungskarton

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